在黑色太陽能電池領域的最高效率:18.7%
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芬蘭Aalto大學與德國Fraunhofer太陽能系統研究院(ISE)科學家們,藉由硼擴散來形成P型半導體與N型半導體接面,維持黑矽晶結構優越的光學特性。利用三氧化二鋁原子層磊晶方法,完成奈米結構化表面的有效鈍化。所製成的黑色太陽能電池效率達18.7%,超越美國能源部國家再生能源實驗室18.2%的紀錄。
芬蘭Aalto大學與德國Fraunhofer太陽能系統研究院(ISE)科學家們,藉由硼擴散來形成P型半導體與N型半導體接面,維持黑矽晶結構優越的光學特性。利用三氧化二鋁原子層磊晶方法,完成奈米結構化表面的有效鈍化。所製成的黑色太陽能電池效率達18.7%,超越美國能源部國家再生能源實驗室18.2%的紀錄。