薄膜矽太陽能電池效率的新世界紀錄
- 建檔日期:102-02-12
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瑞士洛桑聯邦理工學院(EPFL)微型工程研究所將單層微晶矽太陽電池的效率,提高為10.7%,超越日本Kaneka公司在1998年所創的10.1%紀錄。標準晶圓製造的晶矽太陽電池,其光吸收層厚度是180微米,模組的轉換效率約15~20%。該研究團隊所完成的樣品,矽質層厚度僅1.8微米,製作溫度在200℃以下;不僅節省物料,也節省能源。模組製造成本壓低至每平方公尺35歐元,接近標準屋瓦的價格。
瑞士洛桑聯邦理工學院(EPFL)微型工程研究所將單層微晶矽太陽電池的效率,提高為10.7%,超越日本Kaneka公司在1998年所創的10.1%紀錄。標準晶圓製造的晶矽太陽電池,其光吸收層厚度是180微米,模組的轉換效率約15~20%。該研究團隊所完成的樣品,矽質層厚度僅1.8微米,製作溫度在200℃以下;不僅節省物料,也節省能源。模組製造成本壓低至每平方公尺35歐元,接近標準屋瓦的價格。